Microsemi Corporation - APTM100UM60FAG

KEY Part #: K6396555

APTM100UM60FAG Цены (доллары США) [462шт сток]

  • 1 pcs$100.64645
  • 100 pcs$100.14573

номер части:
APTM100UM60FAG
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100UM60FAG electronic components. APTM100UM60FAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100UM60FAG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100UM60FAG Атрибуты продукта

номер части : APTM100UM60FAG
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 129A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 64.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 15mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 1116nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 31100pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2272W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SP6
Пакет / Дело : SP6

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.