STMicroelectronics - STP7NK80Z

KEY Part #: K6392916

STP7NK80Z Цены (доллары США) [32699шт сток]

  • 1 pcs$1.26040
  • 10 pcs$1.08162
  • 100 pcs$0.86923
  • 500 pcs$0.67607
  • 1,000 pcs$0.56017

номер части:
STP7NK80Z
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STP7NK80Z electronic components. STP7NK80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP7NK80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP7NK80Z Атрибуты продукта

номер части : STP7NK80Z
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220
Серии : SuperMESH™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1138pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в