Diodes Incorporated - DMN66D0LDW-7

KEY Part #: K6523127

DMN66D0LDW-7 Цены (доллары США) [363640шт сток]

  • 1 pcs$0.10171
  • 3,000 pcs$0.04845

номер части:
DMN66D0LDW-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN66D0LDW-7 electronic components. DMN66D0LDW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN66D0LDW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN66D0LDW-7 Атрибуты продукта

номер части : DMN66D0LDW-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Dual)
Функция FET : Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 115mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 23pF @ 25V
Мощность - Макс : 250mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект поставки устройства : SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI7956DP-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8.