Infineon Technologies - BCR112E6327HTSA1

KEY Part #: K6528579

BCR112E6327HTSA1 Цены (доллары США) [2380284шт сток]

  • 1 pcs$0.01554
  • 3,000 pcs$0.01408
  • 6,000 pcs$0.01270
  • 15,000 pcs$0.01105
  • 30,000 pcs$0.00994
  • 75,000 pcs$0.00884
  • 150,000 pcs$0.00736

номер части:
BCR112E6327HTSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BCR112E6327HTSA1 electronic components. BCR112E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BCR112E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BCR112E6327HTSA1 Атрибуты продукта

номер части : BCR112E6327HTSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
Серии : -
Состояние детали : Last Time Buy
Тип Транзистора : NPN - Pre-Biased
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 4.7 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 4.7 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 20 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 100nA (ICBO)
Частота - Переход : 140MHz
Мощность - Макс : 200mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства : SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в