Alliance Memory, Inc. - AS4C128M8D3LB-12BIN

KEY Part #: K937509

AS4C128M8D3LB-12BIN Цены (доллары США) [17157шт сток]

  • 1 pcs$2.67064

номер части:
AS4C128M8D3LB-12BIN
производитель:
Alliance Memory, Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA. DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 I-Temp
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - Вьетнамки, Clock / Timing - Тактовые генераторы, ФАПЧ, синтез, Линейный - Обработка видео, Часы / Синхронизация - Батареи для ИС, Сбор данных - Цифро-аналоговые преобразователи (ЦА, Встроенные - ПЛИС (программируемый полевой вентиль, PMIC - Регуляторы напряжения - специального назнач and Интерфейс - сенсор, емкостный сенсорный ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BIN electronic components. AS4C128M8D3LB-12BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C128M8D3LB-12BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C128M8D3LB-12BIN Атрибуты продукта

номер части : AS4C128M8D3LB-12BIN
производитель : Alliance Memory, Inc.
Описание : IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR3L
Размер памяти : 1Gb (128M x 8)
Тактовая частота : 800MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 20ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.283V ~ 1.45V
Рабочая Температура : -40°C ~ 95°C (TC)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 78-VFBGA
Комплект поставки устройства : 78-FBGA (8x10.5)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)