1N5819HW-7-F Цены (доллары США) [974181шт сток]
- 1 pcs$0.03797
- 3,000 pcs$0.03480
- 6,000 pcs$0.03132
- 15,000 pcs$0.02784
- 30,000 pcs$0.02610
- 75,000 pcs$0.02314
- номер части:
- 1N5819HW-7-F
- производитель:
- Diodes Incorporated
- Подробное описание:
- DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers Vr/40V Io/1A T/R
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - JFETs ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N5819HW-7-F electronic components. 1N5819HW-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5819HW-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5819HW-7-F Атрибуты продукта
номер части :
1N5819HW-7-F
производитель :
Diodes Incorporated
Описание :
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
40V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
450mV @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
1mA @ 40V
Емкость @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SOD-123
Комплект поставки устройства :
SOD-123
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 125°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
Горячие части
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G