Vishay Semiconductor Diodes Division - UB8DT-E3/4W

KEY Part #: K6445620

UB8DT-E3/4W Цены (доллары США) [2046шт сток]

  • 2,000 pcs$0.15192

номер части:
UB8DT-E3/4W
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UB8DT-E3/4W electronic components. UB8DT-E3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UB8DT-E3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UB8DT-E3/4W Атрибуты продукта

номер части : UB8DT-E3/4W
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Серии : -
Состояние детали : Obsolete
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.02V @ 8A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 20ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : TO-263AB
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • PMEG2010AEK,115

    NXP USA Inc.

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

  • IDB09E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.

  • SBL1030HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB.