ON Semiconductor - MC14053BDR2G

KEY Part #: K1188597

MC14053BDR2G Цены (доллары США) [635281шт сток]

  • 1 pcs$0.07085
  • 2,500 pcs$0.07050
  • 5,000 pcs$0.06595
  • 12,500 pcs$0.06140
  • 25,000 pcs$0.05822
  • 62,500 pcs$0.05685

номер части:
MC14053BDR2G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - Контроллеры питания через Ethernet (PoE), Логика - Защелки, Память - Контроллеры, PMIC - светодиодные драйверы, Embedded - система на чипе (SoC), PMIC - PFC (коррекция коэффициента мощности), Встроенный - микроконтроллер, микропроцессор, моду and Линейные - аналоговые множители, делители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor MC14053BDR2G electronic components. MC14053BDR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MC14053BDR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MC14053BDR2G Атрибуты продукта

номер части : MC14053BDR2G
производитель : ON Semiconductor
Описание : IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16SOIC
Серии : -
Состояние детали : Active
Цепь выключателя : SPDT
Схема мультиплексора / демультиплексора : 2:1
Количество цепей : 3
Сопротивление в состоянии (Макс) : 280 Ohm
Сопоставление каналов с каналами (& Delta; Рон) : 10 Ohm
Напряжение питания - одинарное (V +) : 3V ~ 18V
Напряжение питания - двойное (V ±) : -
Время переключения (Тон, Тофф) (Макс) : -
Пропускная способность -3 дБ : 17MHz
Впрыск заряда : -
Емкость канала (CS (выкл.), CD (выкл.)) : 7.5pF
Ток - Утечка (IS (выкл)) (Макс) : 100nA
Перекрестная : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 125°C (TA)
Пакет / Дело : 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект поставки устройства : 16-SOIC

Вы также можете быть заинтересованы в