Vishay Semiconductor Diodes Division - RS3AHE3_A/I

KEY Part #: K6427554

RS3AHE3_A/I Цены (доллары США) [417450шт сток]

  • 1 pcs$0.09350
  • 3,500 pcs$0.09303

номер части:
RS3AHE3_A/I
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB. Rectifiers 50 Volt 3.0A 150ns 100 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы специального назначения, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS3AHE3_A/I electronic components. RS3AHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS3AHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS3AHE3_A/I Атрибуты продукта

номер части : RS3AHE3_A/I
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 2.5A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 150ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 50V
Емкость @ Vr, F : 44pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AB, SMC
Комплект поставки устройства : DO-214AB (SMC)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GP2D003A060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2.

  • GP2D008A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L.

  • V35PWM60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V35PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS

  • V35PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V20PWM60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified