ON Semiconductor - CPH6347-TL-H

KEY Part #: K6405755

[1556шт сток]


    номер части:
    CPH6347-TL-H
    производитель:
    ON Semiconductor
    Подробное описание:
    MOSFET P-CH 20V 6A CPH6.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in ON Semiconductor CPH6347-TL-H electronic components. CPH6347-TL-H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CPH6347-TL-H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    CPH6347-TL-H Атрибуты продукта

    номер части : CPH6347-TL-H
    производитель : ON Semiconductor
    Описание : MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : P-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6A (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 3A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10.5nC @ 4.5V
    Vgs (Макс) : ±12V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 860pF @ 10V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.6W (Ta)
    Рабочая Температура : 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : 6-CPH
    Пакет / Дело : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    Вы также можете быть заинтересованы в