Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. W947D2HBJX6E

Winbond Electronics - W947D2HBJX6E

KEY Part #: K942113

W947D2HBJX6E Цены (доллары США) [42953шт сток]

  • 1 pcs$1.20813
  • 240 pcs$1.20212
номер части:
W947D2HBJX6E
производитель:
Winbond Electronics
Подробное описание:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 166MHz, 65nm
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Embedded - Микропроцессоры, Логика - FIFOs Memory, Интерфейс - Интерфейс датчика и детектора, PMIC - полные, полумостовые драйверы, Встроенный - Микроконтроллеры - Специфично для при, Логика - Сдвиговые регистры, Память - Конфигурация Proms для FPGA and Линейный - Усилители - Аудио ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Winbond Electronics W947D2HBJX6E electronic components. W947D2HBJX6E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D2HBJX6E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D2HBJX6E Атрибуты продукта

номер части : W947D2HBJX6E
производитель : Winbond Electronics
Описание : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile LPDDR
Размер памяти : 128Mb (4M x 32)
Тактовая частота : 166MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 5ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -25°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 90-TFBGA
Комплект поставки устройства : 90-VFBGA (8x13)

Последние новости

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Вы также можете быть заинтересованы в
  • IS25WP032A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWEIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25CL64B-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

  • MT25QL128ABA1EW7-0SIT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN. NOR Flash SERIAL NOR SLC 32MX4 WPDFN

  • M24256-BRDW6P

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP. EEPROM 512Kbit and 256Kbit EEPROM

  • SST26VF064B-104I/SM

    Microchip Technology

    IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ. NOR Flash 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory

Горячие части