BYM11-800HE3_A/I Цены (доллары США) [777077шт сток]
- 1 pcs$0.04760
- номер части:
- BYM11-800HE3_A/I
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 1A,800V,500NS, GL41 AEC-Q101 Qualified
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBT - Single and Тиристоры - СКВ - Модули ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM11-800HE3_A/I electronic components. BYM11-800HE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM11-800HE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYM11-800HE3_A/I Атрибуты продукта
номер части :
BYM11-800HE3_A/I
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Серии :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.3V @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
500ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 800V
Емкость @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-213AB, MELF (Glass)
Комплект поставки устройства :
DO-213AB
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
-
-
DPG10IM300UC
IXYS
DIODE GEN PURP 300V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 10 Amps 300V
-
BYV29-600PQ
WeEn Semiconductors
DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AB. Rectifiers BYV29-600PQ/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
-
APT30DQ120KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220. Diodes - General Purpose, Power, Switching FG, FRED, 1200V,TO-220, RoHS
Горячие части
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08