IXYS - IXTQ52N30P

KEY Part #: K6394758

IXTQ52N30P Цены (доллары США) [17778шт сток]

  • 1 pcs$2.55165
  • 10 pcs$2.27842
  • 100 pcs$1.86830
  • 500 pcs$1.51287
  • 1,000 pcs$1.27591

номер части:
IXTQ52N30P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTQ52N30P electronic components. IXTQ52N30P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ52N30P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ52N30P Атрибуты продукта

номер части : IXTQ52N30P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
Серии : PolarHT™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 52A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3490pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 400W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3P
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3