Vishay Siliconix - SQJ940EP-T1_GE3

KEY Part #: K6524843

SQJ940EP-T1_GE3 Цены (доллары США) [148039шт сток]

  • 1 pcs$0.24985
  • 3,000 pcs$0.21117

номер части:
SQJ940EP-T1_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ940EP-T1_GE3 electronic components. SQJ940EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ940EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ940EP-T1_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQJ940EP-T1_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Dual)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 15A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 896pF @ 20V
Мощность - Макс : 48W, 43W
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8 Dual
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Вы также можете быть заинтересованы в