Microsemi Corporation - APT5010B2FLLG

KEY Part #: K6394914

APT5010B2FLLG Цены (доллары США) [5067шт сток]

  • 1 pcs$9.40036
  • 10 pcs$8.54603
  • 100 pcs$6.90965

номер части:
APT5010B2FLLG
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT5010B2FLLG electronic components. APT5010B2FLLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT5010B2FLLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT5010B2FLLG Атрибуты продукта

номер части : APT5010B2FLLG
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Серии : POWER MOS 7®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 46A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4360pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 520W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : T-MAX™ [B2]
Пакет / Дело : TO-247-3 Variant