SIDC105D120H8X1SA1 Цены (доллары США) [6845шт сток]
- 1 pcs$6.01996
- номер части:
- SIDC105D120H8X1SA1
- производитель:
- Infineon Technologies
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - JFETs ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Infineon Technologies SIDC105D120H8X1SA1 electronic components. SIDC105D120H8X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIDC105D120H8X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIDC105D120H8X1SA1 Атрибуты продукта
номер части :
SIDC105D120H8X1SA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
200A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.41V @ 45A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
27µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
Die
Комплект поставки устройства :
Sawn on foil
Рабочая температура - соединение :
-40°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
SS1FN6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified
-
AU2PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,600V, SMPC,FER, Avalanche SM
-
V15P10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 100V 15A Single Die SMPC (TO-277A)
-
AU3PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 1.7A TO277A. Rectifiers 3A,200V,FER, Avalanche SM
-
V8P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 4.2A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 60V,TRENCH SKY RECT.
-
SS15P3S-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 15 Amp 30 Volt 280 Amp IFSM
Горячие части
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR