Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG0S3HBAI4

KEY Part #: K939351

TC58BYG0S3HBAI4 Цены (доллары США) [24757шт сток]

  • 1 pcs$1.85094

номер части:
TC58BYG0S3HBAI4
производитель:
Toshiba Memory America, Inc.
Подробное описание:
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Clock / Timing - Тактовые генераторы, ФАПЧ, синтез, Embedded - DSP (цифровые сигнальные процессоры), Встроенный - микроконтроллер, микропроцессор, моду, Часы / Время - Часы реального времени, PMIC - моторные драйверы, контроллеры, PMIC - Контроллеры с горячей заменой, Встроенный - Микроконтроллеры - Специфично для при and объем памяти ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI4 electronic components. TC58BYG0S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG0S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG0S3HBAI4 Атрибуты продукта

номер части : TC58BYG0S3HBAI4
производитель : Toshiba Memory America, Inc.
Описание : 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Серии : Benand™
Состояние детали : Active
Тип памяти : Non-Volatile
Формат памяти : FLASH
Технология : FLASH - NAND (SLC)
Размер памяти : 1Gb (128M x 8)
Тактовая частота : -
Время цикла записи - слово, страница : 25ns
Время доступа : -
Интерфейс памяти : -
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 63-VFBGA
Комплект поставки устройства : 63-TFBGA (9x11)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.