Diodes Incorporated - DMP3017SFG-7

KEY Part #: K6403003

DMP3017SFG-7 Цены (доллары США) [2509шт сток]

  • 2,000 pcs$0.06743

номер части:
DMP3017SFG-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMP3017SFG-7 electronic components. DMP3017SFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP3017SFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP3017SFG-7 Атрибуты продукта

номер части : DMP3017SFG-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8
Серии : -
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2246pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 940mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8
Пакет / Дело : 8-PowerWDFN

Вы также можете быть заинтересованы в