производитель :
GeneSiC Semiconductor
Описание :
DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER
Состояние детали :
Active
Конфигурация диода :
1 Pair Common Cathode
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) (за диод) :
200A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.3V @ 100A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
75ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
25µA @ 50V
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Тип монтажа :
Chassis Mount
Пакет / Дело :
Twin Tower
Комплект поставки устройства :
Twin Tower