NXP USA Inc. - MRF8P29300HR6

KEY Part #: K6465909

MRF8P29300HR6 Цены (доллары США) [258шт сток]

  • 1 pcs$179.22406
  • 150 pcs$150.85048

номер части:
MRF8P29300HR6
производитель:
NXP USA Inc.
Подробное описание:
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in NXP USA Inc. MRF8P29300HR6 electronic components. MRF8P29300HR6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MRF8P29300HR6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MRF8P29300HR6 Атрибуты продукта

номер части : MRF8P29300HR6
производитель : NXP USA Inc.
Описание : FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : LDMOS (Dual)
частота : 2.9GHz
Усиление : 13.3dB
Напряжение - тест : 30V
Текущий рейтинг : -
Коэффициент шума : -
Текущий - Тест : 100mA
Выходная мощность : 320W
Напряжение - Номинальная : 65V
Пакет / Дело : NI-1230
Комплект поставки устройства : NI-1230

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.