номер части :
IPD65R650CEATMA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
Состояние детали :
Obsolete
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
10.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 0.21mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
23nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
440pF @ 100V
Функция FET :
Super Junction
Рассеиваемая Мощность (Макс) :
86W (Tc)
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
PG-TO252-3
Пакет / Дело :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63