STMicroelectronics - VND14NV04-E

KEY Part #: K1211734

VND14NV04-E Цены (доллары США) [41427шт сток]

  • 1 pcs$0.99508
  • 10 pcs$0.90017
  • 100 pcs$0.72331
  • 500 pcs$0.56259
  • 1,000 pcs$0.46614

номер части:
VND14NV04-E
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 12A DPAK. Gate Drivers N-Ch 40V 12A OmniFET
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Встроенный - Микроконтроллеры - Специфично для при, Embedded - PLD (программируемое логическое устройс, Clock / Timing - Тактовые генераторы, ФАПЧ, синтез, PMIC - Контроллеры источников питания, мониторы, PMIC - Регуляторы напряжения - Линейный + Переключ, Аудио специального назначения, Интерфейс - Интерфейс датчика и детектора and Микросхемы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics VND14NV04-E electronic components. VND14NV04-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VND14NV04-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VND14NV04-E Атрибуты продукта

номер части : VND14NV04-E
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 40V 12A DPAK
Серии : OMNIFET II™, VIPower™
Состояние детали : Active
Тип переключателя : General Purpose
Количество выходов : 1
Соотношение - Вход: Выход : 1:1
Конфигурация выхода : Low Side
Тип выхода : N-Channel
Интерфейс : On/Off
Напряжение - Нагрузка : 36V (Max)
Напряжение - питание (Vcc / Vdd) : Not Required
Ток - Выход (Макс) : 12A
Rds On (Тип) : 35 mOhm (Max)
Тип ввода : Non-Inverting
Характеристики : -
Защита от сбоев : Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства : DPAK

Вы также можете быть заинтересованы в