Central Semiconductor Corp - CSICD10-650 BK

KEY Part #: K6424979

CSICD10-650 BK Цены (доллары США) [9шт сток]

  • 1 pcs$5.22229
  • 10 pcs$4.99754
  • 25 pcs$4.62277
  • 100 pcs$4.24791
  • 250 pcs$3.87310
  • 500 pcs$3.62322

номер части:
CSICD10-650 BK
производитель:
Central Semiconductor Corp
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Rectifier 10 Amp, 650 Volt
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Central Semiconductor Corp CSICD10-650 BK electronic components. CSICD10-650 BK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSICD10-650 BK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSICD10-650 BK Атрибуты продукта

номер части : CSICD10-650 BK
производитель : Central Semiconductor Corp
Описание : DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 10A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 10A
скорость : No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 0ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 125µA @ 650V
Емкость @ Vr, F : 325pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства : DPAK
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C
Вы также можете быть заинтересованы в