Micron Technology Inc. - MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

KEY Part #: K936827

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Цены (доллары США) [15176шт сток]

1 pcs$3.03444
2,000 pcs$3.01935

номер части:: MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

производитель:: Micron Technology Inc.

Подробное описание:: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA. DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Интерфейс - Сериализаторы, Десериализаторы, Часы / Синхронизация - Батареи для ИС, объем памяти, Сбор данных - цифровые потенциометры, PMIC - Учет энергии, Линейный - Обработка видео, PMIC - Освещение, Балласт Контроллеры and Встроенный - микроконтроллер, микропроцессор, моду ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR electronic components. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H32M16NF-25E AUT:H TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Атрибуты продукта

номер части : MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

производитель : Micron Technology Inc.

Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Серии : -

Состояние детали : Last Time Buy

Тип памяти : Volatile

Формат памяти : DRAM

Технология : SDRAM - DDR2

Размер памяти : 512Mb (32M x 16)

Тактовая частота : 400MHz

Время цикла записи - слово, страница : 15ns

Время доступа : 400ps

Интерфейс памяти : Parallel

Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.9V

Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C (TC)

Тип монтажа : Surface Mount

Пакет / Дело : 84-TFBGA

Комплект поставки устройства : 84-FBGA (8x12.5)

Последние новости

Micron NAND-Based MCP

Micron 9200 NVMe™ SSDs

Micron 9300 NVMe™ SSD

Micron SLC NAND Flash Memory

Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs

Micron NAND Flash

Вы также можете быть заинтересованы в

71V30S55TFG8

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM
AT28C256E-15SU

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP
IS61LP6432A-133TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v
71V25761S183PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM
W29N04GZBIBA

Winbond Electronics

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8
W29N04GWBIBA

Winbond Electronics

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

English русский