Microsemi Corporation - JANTXV1N645-1

KEY Part #: K6425009

JANTXV1N645-1 Цены (доллары США) [1050шт сток]

  • 1 pcs$18.85631

номер части:
JANTXV1N645-1
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N645-1 electronic components. JANTXV1N645-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N645-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N645-1 Атрибуты продукта

номер части : JANTXV1N645-1
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35
Серии : Military, MIL-PRF-19500/240
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 225V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 400mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 400mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 50nA @ 225V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AH, DO-35, Axial
Комплект поставки устройства : DO-35
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в