Infineon Technologies - IRF8302MTRPBF

KEY Part #: K6419102

IRF8302MTRPBF Цены (доллары США) [91467шт сток]

  • 1 pcs$0.68043
  • 4,800 pcs$0.67705

номер части:
IRF8302MTRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 31A MX.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - JFETs and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF8302MTRPBF electronic components. IRF8302MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8302MTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF8302MTRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF8302MTRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 31A MX
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 31A (Ta), 190A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 53nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6030pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DIRECTFET™ MX
Пакет / Дело : DirectFET™ Isometric MX

Вы также можете быть заинтересованы в