Infineon Technologies - BSC076N06NS3GATMA1

KEY Part #: K6420177

BSC076N06NS3GATMA1 Цены (доллары США) [166990шт сток]

  • 1 pcs$0.22150
  • 5,000 pcs$0.16317

номер части:
BSC076N06NS3GATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSC076N06NS3GATMA1 electronic components. BSC076N06NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC076N06NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC076N06NS3GATMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSC076N06NS3GATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4000pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в