GeneSiC Semiconductor - MUR20005CTR

KEY Part #: K6468521

MUR20005CTR Цены (доллары США) [1194шт сток]

  • 1 pcs$36.26045
  • 25 pcs$29.08672

номер части:
MUR20005CTR
производитель:
GeneSiC Semiconductor
Подробное описание:
DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MUR20005CTR electronic components. MUR20005CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUR20005CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR20005CTR Атрибуты продукта

номер части : MUR20005CTR
производитель : GeneSiC Semiconductor
Описание : DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER
Серии : -
Состояние детали : Active
Конфигурация диода : 1 Pair Common Anode
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) (за диод) : 200A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 100A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 75ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 25µA @ 50V
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Twin Tower
Комплект поставки устройства : Twin Tower
Вы также можете быть заинтересованы в
  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • 2SK209-GR(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    JFET N-CH SOT23.

  • BF999E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.

  • MMBD1405A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS4005E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23.