Microsemi Corporation - APT25GP120BG

KEY Part #: K6421907

APT25GP120BG Цены (доллары США) [8805шт сток]

  • 1 pcs$4.70364
  • 47 pcs$4.68023

номер части:
APT25GP120BG
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 1200V 69A 417W TO247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT25GP120BG electronic components. APT25GP120BG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT25GP120BG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT25GP120BG Атрибуты продукта

номер части : APT25GP120BG
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 1200V 69A 417W TO247
Серии : POWER MOS 7®
Состояние детали : Active
Тип IGBT : PT
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 69A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 90A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 25A
Мощность - Макс : 417W
Энергия переключения : 500µJ (on), 438µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 110nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 12ns/70ns
Условия испытаний : 600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247 [B]

Вы также можете быть заинтересованы в