ON Semiconductor - FQPF8N90C

KEY Part #: K6419024

FQPF8N90C Цены (доллары США) [88025шт сток]

  • 1 pcs$0.44420
  • 1,000 pcs$0.43120

номер части:
FQPF8N90C
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQPF8N90C electronic components. FQPF8N90C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF8N90C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF8N90C Атрибуты продукта

номер части : FQPF8N90C
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 900V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2080pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 60W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220F
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в