Infineon Technologies - IPP60R160P6XKSA1

KEY Part #: K6417100

IPP60R160P6XKSA1 Цены (доллары США) [24872шт сток]

  • 1 pcs$1.43227
  • 10 pcs$1.27847
  • 100 pcs$0.99449
  • 500 pcs$0.80529
  • 1,000 pcs$0.67916

номер части:
IPP60R160P6XKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPP60R160P6XKSA1 electronic components. IPP60R160P6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP60R160P6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R160P6XKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPP60R160P6XKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 600V TO220-3
Серии : CoolMOS™ P6
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 23.8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 750µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2080pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 176W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.