Diodes Incorporated - DMT32M5LFG-7

KEY Part #: K6402064

DMT32M5LFG-7 Цены (доллары США) [167961шт сток]

  • 1 pcs$0.22021
  • 2,000 pcs$0.19490

номер части:
DMT32M5LFG-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMT32M5LFG-7 electronic components. DMT32M5LFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT32M5LFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT32M5LFG-7 Атрибуты продукта

номер части : DMT32M5LFG-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 67.7nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4066pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.3W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.