ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42SM16800H-75BLI-TR

KEY Part #: K939413

IS42SM16800H-75BLI-TR Цены (доллары США) [25036шт сток]

1 pcs$2.18988
2,500 pcs$2.17899

номер части:: IS42SM16800H-75BLI-TR

производитель:: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Подробное описание:: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M, 3.3V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Интерфейс - Интерфейс датчика и детектора, Логика - Сдвиговые регистры, Аудио специального назначения, Интерфейс - сенсор, емкостный сенсорный, PMIC - AC DC преобразователи, автономные коммутато, Интерфейс - Терминаторы Сигнала, Память - Контроллеры and PMIC - полные, полумостовые драйверы ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800H-75BLI-TR electronic components. IS42SM16800H-75BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42SM16800H-75BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

IS42SM16800H-75BLI-TR Атрибуты продукта

номер части : IS42SM16800H-75BLI-TR

производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Описание : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Серии : -

Состояние детали : Active

Тип памяти : Volatile

Формат памяти : DRAM

Технология : SDRAM - Mobile

Размер памяти : 128Mb (8M x 16)

Тактовая частота : 133MHz

Время цикла записи - слово, страница : -

Время доступа : 6ns

Интерфейс памяти : Parallel

Напряжение - Поставка : 2.7V ~ 3.6V

Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)

Тип монтажа : Surface Mount

Пакет / Дело : 54-TFBGA

Комплект поставки устройства : 54-TFBGA (8x8)

Последние новости

Silicom MinnowBoard Turbot

Вы также можете быть заинтересованы в

CAV25M01YE-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

English русский