Vishay Siliconix - SQJ422EP-T1_GE3

KEY Part #: K6416199

SQJ422EP-T1_GE3 Цены (доллары США) [118007шт сток]

  • 1 pcs$0.31343
  • 3,000 pcs$0.27408

номер части:
SQJ422EP-T1_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ422EP-T1_GE3 electronic components. SQJ422EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ422EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ422EP-T1_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQJ422EP-T1_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 74A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4660pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 83W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в