Vishay Siliconix - SI7223DN-T1-GE3

KEY Part #: K6523024

SI7223DN-T1-GE3 Цены (доллары США) [211203шт сток]

  • 1 pcs$0.17513

номер части:
SI7223DN-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7223DN-T1-GE3 electronic components. SI7223DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7223DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7223DN-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI7223DN-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Серии : TrenchFET® Gen III
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 P-Channel (Dual)
Функция FET : Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26.4 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 40nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1425pF @ 15V
Мощность - Макс : 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8 Dual
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8 Dual

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.