Toshiba Memory America, Inc. - TC58NVG1S3HBAI6

KEY Part #: K939723

TC58NVG1S3HBAI6 Цены (доллары США) [26323шт сток]

  • 1 pcs$1.26922
  • 10 pcs$1.08162
  • 25 pcs$1.06432
  • 50 pcs$1.06156
  • 100 pcs$0.94850

номер части:
TC58NVG1S3HBAI6
производитель:
Toshiba Memory America, Inc.
Подробное описание:
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - FIFOs Memory, Логика - Ворота и Инверторы, Микросхемы, Linear - Усилители - Инструментарий, OP Amp, Буфер, PMIC - эталон напряжения, Логика - Специальность Логика, PMIC - Драйверы дисплея and Логика - Сигнальные переключатели, мультиплексоры, ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NVG1S3HBAI6 electronic components. TC58NVG1S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NVG1S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NVG1S3HBAI6 Атрибуты продукта

номер части : TC58NVG1S3HBAI6
производитель : Toshiba Memory America, Inc.
Описание : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Non-Volatile
Формат памяти : FLASH
Технология : FLASH - NAND (SLC)
Размер памяти : 2Gb (256M x 8)
Тактовая частота : -
Время цикла записи - слово, страница : 25ns
Время доступа : 25ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 67-VFBGA
Комплект поставки устройства : 67-VFBGA (6.5x8)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM