Infineon Technologies - IPG20N06S4L26AATMA1

KEY Part #: K6524897

IPG20N06S4L26AATMA1 Цены (доллары США) [218993шт сток]

  • 1 pcs$0.16890
  • 5,000 pcs$0.15495

номер части:
IPG20N06S4L26AATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N06S4L26AATMA1 electronic components. IPG20N06S4L26AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S4L26AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N06S4L26AATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPG20N06S4L26AATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Серии : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Dual)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1430pF @ 25V
Мощность - Макс : 33W
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8-10

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDG6322C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

  • SI1900DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.

  • FDY4000CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC89-6.

  • ZXMN3AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP.

  • SI6926ADQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP.

  • STC5DNF30V

    STMicroelectronics

    MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP.