Infineon Technologies - IPN70R750P7SATMA1

KEY Part #: K6405144

IPN70R750P7SATMA1 Цены (доллары США) [301282шт сток]

  • 1 pcs$0.12277

номер части:
IPN70R750P7SATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
COOLMOS P7 700V SOT-223.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPN70R750P7SATMA1 electronic components. IPN70R750P7SATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN70R750P7SATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN70R750P7SATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPN70R750P7SATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : COOLMOS P7 700V SOT-223
Серии : CoolMOS™ P7
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 700V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 306pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 6.7W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-SOT223
Пакет / Дело : TO-261-3

Вы также можете быть заинтересованы в