Rohm Semiconductor - RQ3E120BNTB

KEY Part #: K6394145

RQ3E120BNTB Цены (доллары США) [622023шт сток]

  • 1 pcs$0.06574
  • 3,000 pcs$0.06541

номер части:
RQ3E120BNTB
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB electronic components. RQ3E120BNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E120BNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ3E120BNTB Атрибуты продукта

номер части : RQ3E120BNTB
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1500pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-HSMT (3.2x3)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

  • SIE802DF-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK.