TC58CVG2S0HRAIG Цены (доллары США) [16879шт сток]
- 1 pcs$2.71471
- номер части:
- TC58CVG2S0HRAIG
- производитель:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Подробное описание:
- IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm Serial NAND
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Линейный - Обработка видео, Logic - Буферы, Драйверы, Приемники, Приемопередат, Логика - Мультивибраторы, Логика - Сигнальные переключатели, мультиплексоры,, PMIC - Управление питанием - Специализированный, Интерфейс - Модули, Сбор данных - Цифро-аналоговые преобразователи (ЦА and Интерфейс - Запись голоса и воспроизведение ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58CVG2S0HRAIG electronic components. TC58CVG2S0HRAIG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58CVG2S0HRAIG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TC58CVG2S0HRAIG Атрибуты продукта
номер части :
TC58CVG2S0HRAIG
производитель :
Toshiba Memory America, Inc.
Описание :
IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Тип памяти :
Non-Volatile
Формат памяти :
FLASH
Технология :
FLASH - NAND (SLC)
Размер памяти :
4Gb (512M x 8)
Тактовая частота :
104MHz
Время цикла записи - слово, страница :
-
Время доступа :
280µs
Интерфейс памяти :
SPI - Quad I/O
Напряжение - Поставка :
2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
8-WDFN Exposed Pad
Комплект поставки устройства :
8-WSON (6x8)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
Горячие части
- CY7C028V-15AXIT
- AT49LH004-33TC-T
- MT28F640J3BS-115 ET TR
- MT28F004B5VG-8 BET
- AT25F4096W-10SU-2.7
- MT29F4G08BBBWP TR
- AT27C010-12JI
- AT25320T1-10TI
- MT40A4G4HPR-075H:G TR
- S70WS512N00BFWAB3
- MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR
- MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D
- MT29F128G08AECBBH6-6IT:B
- S25FL032P0XMFI013M
- S99-50204A
- IS42SM16160D-7BLI
- EDFP112A3PD-GD-F-D
- S70FS01GSDSBHM210
- IS61DDB41M36A-300M3LI
- 7028L15PFI
- AS4C128M16D3L-12BANTR
- S25FL132K0XBHI033
- MT29F64G08AFAAAWP-IT:A
- IDT71016S12YI8
- JS28F256P30BFF TR
- MT46H128M16LFB7-5 IT:B
- AT49BV160DT-70CU
- MT29F2G01AAAEDH4:E TR
- AT25DF321-SU
- 93C86AT-I/ST
- R1LV0408DSB-5SI#B0
- M29W128GL70ZS6E
- M28W640HSB70ZA6E
- IDT71V65803S133PF8
- IDT71V25761SA200BG8
- 7134SA55J8
- 70V06L20PFI
- MT46V16M16P-75:F TR
- CYDD09S36V18-167BBXC
- S25FS512SDSBHA213