ON Semiconductor - NSVDTC123EM3T5G

KEY Part #: K6527550

NSVDTC123EM3T5G Цены (доллары США) [1840247шт сток]

  • 1 pcs$0.02010
  • 16,000 pcs$0.01709

номер части:
NSVDTC123EM3T5G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
TRANS NPN 50V 0.1A SOT723.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NSVDTC123EM3T5G electronic components. NSVDTC123EM3T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVDTC123EM3T5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVDTC123EM3T5G Атрибуты продукта

номер части : NSVDTC123EM3T5G
производитель : ON Semiconductor
Описание : TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : NPN - Pre-Biased
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 2.2 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 2.2 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 8 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 250mV @ 5mA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 260mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOT-723
Комплект поставки устройства : SOT-723

Вы также можете быть заинтересованы в