DS1250AB-100IND+ Цены (доллары США) [881шт сток]
- 1 pcs$55.82064
- 10 pcs$53.03085
- 25 pcs$48.95431
- 50 pcs$46.50799
- 100 pcs$39.21853
- номер части:
- DS1250AB-100IND+
- производитель:
- Maxim Integrated
- Подробное описание:
- IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP. NVRAM 4096K NV SRAM
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - Управление питанием - Специализированный, Логика - Защелки, PMIC - Освещение, Балласт Контроллеры, PMIC - Контроллеры с горячей заменой, Логика - Специальность Логика, Embedded - система на чипе (SoC), Логика - Сдвиговые регистры and Часы / Синхронизация - Батареи для ИС ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Maxim Integrated DS1250AB-100IND+ electronic components. DS1250AB-100IND+ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DS1250AB-100IND+, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DS1250AB-100IND+ Атрибуты продукта
номер части :
DS1250AB-100IND+
производитель :
Maxim Integrated
Описание :
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Тип памяти :
Non-Volatile
Формат памяти :
NVSRAM
Технология :
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Размер памяти :
4Mb (512K x 8)
Тактовая частота :
-
Время цикла записи - слово, страница :
100ns
Время доступа :
100ns
Интерфейс памяти :
Parallel
Напряжение - Поставка :
4.75V ~ 5.25V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Комплект поставки устройства :
32-EDIP
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
-
IS49RL18320-093EBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory,576M Common I/O,1066Mhz
-
IS49RL36160-093EBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz
-
-
Горячие части
- AT49BV163D-70TU-T
- MT48LC4M16A2TG-6 IT:G
- MT46V32M16FN-5B:F
- MT46V256M4P-6T:A
- AT49BV002ANT-70PI
- CY7C128A-15PC
- AT27C512R-90RI
- AT24C04N-10SI
- MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C
- 25AA640A-I/S16K
- S99GL01GP11TFIR10
- MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
- IS42SM32400G-75BLI-TR
- LE25FW056CS-TRM-E
- AT28HC64BF-70SU
- MT42L256M64D4LM-25 WT:A
- MT41DCHA-V80A:E
- MT29C4G96MAZBACKD-5 WT
- CY7C1380C-167AC
- AT28C64E-12TI
- W25Q32FVSSIG
- S25FL064P0XNFI001
- AT25DF041A-MHF-Y
- MT45W1MW16BDGB-701 IT
- MT41K512M4HX-187E:D
- CY7C1360S-166BZC
- CAT28F010HI12
- IDT71V35761S200PF8
- IDT71256SA12PZ8
- W631GG6KB12I TR
- S70FL01GSAGBHIC13
- 70V05L20J8
- 7038L15PF8
- S34ML02G104BHA010
- CY7C1263V18-375BZXC
- MT29F8G08AAAWP:A TR
- CY14B101K-SP35XCT
- IS42S16160B-6T
- CY7C1399BL-12ZXCT
- S25FL128SDPMFIG03