IXYS - DNA30E2200FE

KEY Part #: K6454907

DNA30E2200FE Цены (доллары США) [19982шт сток]

  • 1 pcs$2.17643
  • 25 pcs$2.16560

номер части:
DNA30E2200FE
производитель:
IXYS
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC. Rectifiers High Voltage Std Rectifier Sngl Diode
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS DNA30E2200FE electronic components. DNA30E2200FE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DNA30E2200FE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DNA30E2200FE Атрибуты продукта

номер части : DNA30E2200FE
производитель : IXYS
Описание : DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 2200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 30A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.25V @ 30A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 40µA @ 2200V
Емкость @ Vr, F : 7pF @ 700V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-251-2, IPak
Комплект поставки устройства : i4-PAC
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • BAS19-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • C3D10060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A

  • VS-50WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3