Taiwan Semiconductor Corporation - 2A04GHB0G

KEY Part #: K6434260

2A04GHB0G Цены (доллары США) [2037504шт сток]

  • 1 pcs$0.01815

номер части:
2A04GHB0G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 2A04GHB0G electronic components. 2A04GHB0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2A04GHB0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2A04GHB0G Атрибуты продукта

номер части : 2A04GHB0G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 400V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 2A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 400V
Емкость @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AC, DO-15, Axial
Комплект поставки устройства : DO-204AC (DO-15)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-HFA04SD60SHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt

  • VS-HFA08SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60SR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS12STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3