Micron Technology Inc. - MT53D512M64D4RQ-046 WT:E

KEY Part #: K906793

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E Цены (доллары США) [867шт сток]

  • 1 pcs$59.50738

номер части:
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
производитель:
Micron Technology Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 32G 2133MHZ. DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - Сигнальные переключатели, мультиплексоры,, Linear - Усилители - Инструментарий, OP Amp, Буфер, Logic - универсальные функции шины, Логика - Ворота и Инверторы, Embedded - PLD (программируемое логическое устройс, Линейный - Усилители - Аудио, Logic - Вентили и инверторы - многофункциональные, and Сбор данных - аналого-цифровые преобразователи (АЦ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT:E electronic components. MT53D512M64D4RQ-046 WT:E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT53D512M64D4RQ-046 WT:E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E Атрибуты продукта

номер части : MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
производитель : Micron Technology Inc.
Описание : IC DRAM 32G 2133MHZ
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile LPDDR4
Размер памяти : 32Gb (512M x 64)
Тактовая частота : 2133MHz
Время цикла записи - слово, страница : -
Время доступа : -
Интерфейс памяти : -
Напряжение - Поставка : 1.1V
Рабочая Температура : -30°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа : -
Пакет / Дело : -
Комплект поставки устройства : -

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IS49RL18320-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory,576M Common I/O,1066Mhz

  • IS49RL36160-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz

  • DS1265W-100IND+

    Maxim Integrated

    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 3.3V 8M NV SRAM

  • DS1265Y-70IND+

    Maxim Integrated

    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 8M NV SRAM

  • IS61VF204836B-7.5TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36, 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS

  • IS61NVP204836B-166TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb, 7.5ns, 2.5v 2M x 36 Sync SRAM