STMicroelectronics - STGB30V60DF

KEY Part #: K6422344

STGB30V60DF Цены (доллары США) [41272шт сток]

  • 1 pcs$0.94737
  • 1,000 pcs$0.83894

номер части:
STGB30V60DF
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
IGBT 600V 60A 258W D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STGB30V60DF electronic components. STGB30V60DF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGB30V60DF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGB30V60DF Атрибуты продукта

номер части : STGB30V60DF
производитель : STMicroelectronics
Описание : IGBT 600V 60A 258W D2PAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 60A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 120A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 30A
Мощность - Макс : 258W
Энергия переключения : 383µJ (on), 233µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 163nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 45ns/189ns
Условия испытаний : 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 53ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : D2PAK