Maxim Integrated - MAX5057AASA+T

KEY Part #: K1221659

[7937шт сток]


    номер части:
    MAX5057AASA+T
    производитель:
    Maxim Integrated
    Подробное описание:
    IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - Сдвиговые регистры, PMIC - светодиодные драйверы, Logic - Буферы, Драйверы, Приемники, Приемопередат, PMIC - Контроллеры питания через Ethernet (PoE), Интерфейс - Фильтры - Активные, Logic - Вентили и инверторы - многофункциональные,, PMIC - полные, полумостовые драйверы and Встроенные - ПЛИС (программируемый полевой вентиль ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Maxim Integrated MAX5057AASA+T electronic components. MAX5057AASA+T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MAX5057AASA+T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MAX5057AASA+T Атрибуты продукта

    номер части : MAX5057AASA+T
    производитель : Maxim Integrated
    Описание : IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC
    Серии : -
    Состояние детали : Active
    Управляемая конфигурация : Low-Side
    Тип канала : Independent
    Количество водителей : 2
    Тип ворот : N-Channel MOSFET
    Напряжение - Поставка : 4V ~ 15V
    Логическое напряжение - VIL, VIH : 0.8V, 2.1V
    Ток - Пиковая мощность (источник, раковина) : 4A, 4A
    Тип ввода : Inverting, Non-Inverting
    Высокое боковое напряжение - Макс (Bootstrap) : -
    Время подъема / падения (тип.) : 32ns, 26ns
    Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
    Комплект поставки устройства : 8-SOIC-EP

    Вы также можете быть заинтересованы в