Microsemi Corporation - JANTX1N4104UR-1

KEY Part #: K6479702

JANTX1N4104UR-1 Цены (доллары США) [6426шт сток]

1 pcs$5.67181
10 pcs$5.15487
25 pcs$4.76820
100 pcs$4.38166
250 pcs$3.99502
500 pcs$3.73728

номер части:: JANTX1N4104UR-1

производитель:: Microsemi Corporation

Подробное описание:: DIODE ZENER 10V 500MW DO213AA. Zener Diodes Zener Diodes

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Тиристоры - ТРИАКС ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N4104UR-1 electronic components. JANTX1N4104UR-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N4104UR-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JANTX1N4104UR-1 Атрибуты продукта

номер части : JANTX1N4104UR-1

производитель : Microsemi Corporation

Описание : DIODE ZENER 10V 500MW DO213AA

Серии : Military

Состояние детали : Active

Напряжение - стабилитрон (ном.) (Vz) : 10V

Толерантность : ±5%

Мощность - Макс : 500mW

Импеданс (Макс) (Zzt) : 200 Ohms

Ток - обратная утечка @ Vr : 500nA @ 7.6V

Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.1V @ 200mA

Рабочая Температура : -65°C ~ 175°C

Тип монтажа : Surface Mount

Пакет / Дело : DO-213AA

Комплект поставки устройства : DO-213AA

Последние новости

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Вы также можете быть заинтересованы в

BAR43C

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.
BAW156E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

English русский