Renesas Electronics America - HAT2279H-EL-E

KEY Part #: K6418635

HAT2279H-EL-E Цены (доллары США) [71063шт сток]

  • 1 pcs$0.58654
  • 2,500 pcs$0.58363

номер части:
HAT2279H-EL-E
производитель:
Renesas Electronics America
Подробное описание:
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Renesas Electronics America HAT2279H-EL-E electronic components. HAT2279H-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2279H-EL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HAT2279H-EL-E Атрибуты продукта

номер части : HAT2279H-EL-E
производитель : Renesas Electronics America
Описание : MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3520pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 25W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : LFPAK
Пакет / Дело : SC-100, SOT-669

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.