Vishay Siliconix - SI4860DY-T1-E3

KEY Part #: K6404234

[2081шт сток]


    номер части:
    SI4860DY-T1-E3
    производитель:
    Vishay Siliconix
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4860DY-T1-E3 electronic components. SI4860DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4860DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4860DY-T1-E3 Атрибуты продукта

    номер части : SI4860DY-T1-E3
    производитель : Vishay Siliconix
    Описание : MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    Серии : TrenchFET®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11A (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 16A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.6W (Ta)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : 8-SO
    Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • AUIRLR024Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • AUIRFR4292

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

    • IRFR7440PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

    • TK16A60W5,S4VX

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.

    • IPA50R380CE

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.

    • IPA50R190CE

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.